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1. 概述

N76E616是一个内嵌FLASH、8位高性能1T 基于8051核的微控制器。指令集完全兼容标准和增强型的
的80C51。

N76E616内嵌18K的FLASH存储区，通常称作APROM，用于存放用户程序代码。该存储区支持IAP烧
写功能，即可通过片内固件更新程序代码，IAP功能同时提供用户可自行配置加密程序区或数据存储
区，也可通过IAP指令或MOVC指令读取任一区域内数据。另外N76E616还配置额外具有一存储区称作
LDROM，该区域可存放用于执行ISP的引导代码（boot code），LDROM区域从18K的APROM区域内
分割出来，通过配置位CONFIG配置大小，最多可配置到 4K 字节。整个18K FLASH区域还支持ICP编
程方式，即通过片外I/O由总线方式烧写片内FLASH数据，该方式不占用片内代码空间，且可通过加密
位对FLASH完全加密，保障程序代码无法读出。

N76E616 提供丰富的外设包括256字节的SRAM和256字节的外部RAM(XRAM)，最大到46个IO口，两
个16位定时器/计数器 0/1，一个16位定时器2带4个自动重载定时器或PWM定时器。一个看门狗定时
器，一个自我唤醒定时器(WKT)，一个16位自动重载定时器3用于通用目的或波特率发生器。两个UART
带有帧错误检测和自动地址识别，一个I2C，8通道共享引脚中断用于所有I/O，一个10位的ADC，和最
大到180段的LCD驱动。外设配备17个中断源带4级中断优先级。

N76E616配备5个时钟源和支持通过软件切换，四个时钟源包括2 MHz 到 16 MHz外部高速晶振，
32.768 kHz外部低速晶振，外部时钟输入，10 kHz内部震荡器，和一个11.059 MHz内部精确振荡器，
它在常温下达到±1%的精度。N76E616提供额外电源监测，例如上电复位和4级欠压检测，有稳定的电
源通断性能用于高可靠的系统设计。

N76E616微控制器操作功耗非常低，有两种经济的电源模式用来减少电源的消耗---空闲模式和掉电模
式。软件可以选择空闲模式关闭CPU时钟，但是允许外设继续工作。掉电模式停止整个系统时钟用于最
小的功耗。N76E616的系统时钟可以通过时钟分频器放慢，实现在性能和功耗之间的平衡。
带有高性能的CPU核和丰富的外设，N76E616可以通用的需求，家庭应用或马达控制等。

切换时钟源之后，串口的配置寄存器是不是也要跟着调整?