如题，bin文件用sunxi-fel烧进去再读出来是正确的，程序不运行，示波器观测上电读SPI FLASH时间很短，之前TINY200板子上电读FLASH时间要长很多。
手动复位后是没进入fel.
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手动复位后是没进入fel.
基本说明已经运行了
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手动复位后是没进入fel.
基本说明已经运行了
同样程序烧到TINY200上有输出信号，烧到自制PCB上就没输出，卡壳一整天了。
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有可能已经进了boot0,但是还没有进入uboot就挂了，
检查看是不是硬件原因。
SPI FLASH读出和写入一致是不是可以排除FLASH部分？
现在电源3.3V 1.12V 2.46V SVREF 1.23V。sunxi-fel烧写读出功能正常。
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SPI FLASH读出和写入一致是不是可以排除FLASH部分？
现在电源3.3V 1.12V 2.46V SVREF 1.23V。sunxi-fel烧写读出功能正常。
SPI FLASH校验正确说明硬件大部分正常。
FEL模式不初始化DDR， CPU频率可能也偏低(具体多少Mhz要查一下)，
所以有可能是 DDR电压不够?或者U-BOOT初始化的DDR频率超过PCB的承受范围?
或者U-BOOT初始化的CPU频率超过PCB的承受范围.
如果能烧进去， 但是至少应该打印出SPL的串口信息, 看是不是连接串口的姿势不对？?
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SPI FLASH校验正确说明硬件大部分正常。
FEL模式不初始化DDR， CPU频率可能也偏低(具体多少Mhz要查一下)，
所以有可能是 DDR电压不够?或者U-BOOT初始化的DDR频率超过PCB的承受范围?
或者U-BOOT初始化的CPU频率超过PCB的承受范围.
如果能烧进去， 但是至少应该打印出SPL的串口信息, 看是不是连接串口的姿势不对？?
串口连接采用69式。
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VRA1 1.5V VRA2 0V 。电路采用tiny V1。
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继续排除，将烧好代码的SPI FLASH拆下，焊接到TINY200h ,TINY200工作正常。确认sunxi-fel烧写没有问题。
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TINY200上电有从FLASH加载比较长时间，自制板就100mS左右，感觉是没加载成功到DRAM。
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更换F1C200S解决，估计是焊接时间过长，芯片损坏。
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但愿如此，不然要报废两片。
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