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根据美国军用性能规范 MIL-PRF-38535，批次日期代码的格式为四字符（年-年-周-周，YYWW）加上可选的后缀 (YYWWAA)，
用来表示在同一周内所组装器件的多个批次，或子批次；例如 2010A、2010B 或 2010BA。
相关的 YYWWAA 可用于追溯特定批次和相关质量一致性检验 (QCI) 报告。
需要注意下面几点：
1.相关的 YYWW 日期代码仅用于库存期限控制，不支持对单个批次进行追溯。
2.TI批次代码是系统分配的。
3.TI 不支持客户预先分配的批次控制代码标记。
4.QML 器件标识由 MIL-PRF-38535 定义。
5.非 QML 产品的器件标识由 TI 定义。
6.TI 不支持使用符合军用标准 (MIL-STD)-130（美国国防部军用财产识别标记标准惯例）的物品唯一标识 (UID) 进行标记。
日期代码选项详细信息
下面列出了部分适用于密封 QML 器件的日期代码选项。
日期代码 说明
SPECIFIC-DC 适用于为B、Q、S和V级器件申请特定批次日期代码的客户。
DC-5年 适用于B、Q、S和V级且少于5年的日期代码。不包括单批次日期代码。
SLDC-5年 适用于B、Q、S和V级少于5年的单批次日期代码。
DC-2年 适用于B、Q、S和V级且少于2年的日期代码。不包括单批次日期代码。
SLDC-2年 适用于B、Q、S和V级且少于2年的单批次日期代码。
DC-1年 适用于B、Q、S和V级且少于1年的日期代码。不包括单批次日期代码。
SLDC-1年 适用于B、Q、S和V级且少于1年的单批次日期代码。
SLDC-QMLQ 适用于B级或Q级器件的单批次日期代码。
SLDC-QMLV 仅适用于V级或S级器件的单批次日期代码。
宽禁带半导体材料典型代表有碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)，这些半导体材料也称为第三代半导体材料。与以硅(Si)和砷化镓(GaAs)为代表的第二代半导体相比，宽禁带半导体的优点更加的突出。
宽禁带半导体主要具有以下四种优点：
1.宽禁带半导体材料具有较大的禁带宽度以及很高的击穿电场强度，使得宽禁带器件能够承受的峰值电压大幅度提高，器件的输出功率可获得大规模提升；
2.宽禁带材料具有高热导率、高化学稳定性等优点，使得功率器件可以在更加恶劣的环境下工作，可极大提高系统的稳定性与可靠性；
3.宽禁带材料抗辐射能力非常好，在辐射环境下，宽禁带器件对辐射的稳定性比Si器件高10至100倍，因此是制作耐高温、抗辐射的大功率微波功率器件的优良材料；
4.宽禁带半导体器件的结温高，故在冷却条件较差、热设计保障较差的环境下也能够稳定工作。
据我所知，这些品牌的产品大多数具有以上优点，比如：AVAGO、 IDT、TI、AD、INTERSIL、REI、QP、Q-TECH、MSC、IR 等。笔者入行不久，还在循序渐进的学习中，欢迎大家评论区探讨呢。
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