CH32V307是SRAM缓存架构,封装了RISC-V核心和SPI FLASH,SPI FLASH 来自普冉,图片来自推特John McMaster @johndmcmaster
FLASH Die的丝印PY1905V1,有普冉的标志。普冉的SPI FLASH价格很有优势,而且擦除速度极快,尤其是全片擦除,以16Mbits型号为例:
普冉的P25Q16H,典型值8ms最大20ms
华邦的W25Q16J,典型值5s,最大25s
兆易的GD25Q16C,典型值7s,最大20s
普冉的直接快了3个数量级,不知道他们怎么实现的。
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普冉就是牛
它家的芯片功耗也低。
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现在好多单片机是QSPI Flash + SRAM结构啊,,GD32、AT32、CH32,,估计是这么做有价格优势。。
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这spiflash这么牛逼的话,换到esp32开发版上能不能大幅提升烧录速度?
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这种芯片打磨 是不是需要特别的机器
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@海石生风
普冉的这个FLASH烧录按页来编程,速度很快。像传统的STM32那样4字节编程速度就慢很多了。为此我专门重写了自己的固件升级算法。以下是一些朋友提供的消息,真假自辩,感觉没啥问题。
Puya用了一种新的工艺,和传统的NorFlash不同,cypress授权的,国内很多Flash小厂在用。
erase时间短,program时间长,page program的时间应该是2ms,小于一个page的,比如写
1个字节,时间也是2ms。
仔细看手册你会发现WCH的MCU内置FLASH都提供快速编程功能,就是页编程,和PY32的内置闪存一样,PY32甚至手册上只提到支持页编程。
最近编辑记录 echo (2022-11-14 09:34:23)
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这种芯片打磨 是不是需要特别的机器
热的浓硫酸+硝酸钠就可以
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@echo
我的意思是如果内置的SPI Flash换成别家的型号,如果不进行整片擦除的话,也不慢,甚至可能会更快。
比如按64kB块擦除烧录128kB的最小耗时:
普冉:2ms × 128kB/256B + 6ms × 128kB/64kB = 1.012s
华邦:0.6ms × 128kB/256B + 150ms × 128kB/64kB = 0.6s
普冉的设计取向要在烧录体积比较大时才会体现出优势。
最近编辑记录 海石生风 (2022-11-14 11:46:03)
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补充一下,普冉的这个FLASH技术叫做SONOS,来自Cypress,和华邦兆易他们的不一样。下面是两篇介绍文章:
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这样开盖之后不是程序可以随便读
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SONOS擦除比较快,但Byte program比较慢。现在有NORD工艺,可以兼顾擦除快和Byte program快两个优点,就是不知道寿命如何。
如果寿命也没有降低太多,对于消费电子,NORD就太完美了。
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