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楼主 # 2022-11-13 09:39:04

echo
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CH32V307内置SPI FLASH来自普冉

CH32V307是SRAM缓存架构,封装了RISC-V核心和SPI FLASH,SPI FLASH 来自普冉,图片来自推特John McMaster @johndmcmaster
01.jpg
02.jpg
03.jpg
FLASH Die的丝印PY1905V1,有普冉的标志。普冉的SPI FLASH价格很有优势,而且擦除速度极快,尤其是全片擦除,以16Mbits型号为例:

  • 普冉的P25Q16H,典型值8ms最大20ms

  • 华邦的W25Q16J,典型值5s,最大25s

  • 兆易的GD25Q16C,典型值7s,最大20s

普冉的直接快了3个数量级,不知道他们怎么实现的。

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#1 2022-11-13 14:10:25

le062
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Re: CH32V307内置SPI FLASH来自普冉

普冉就是牛

它家的芯片功耗也低。

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#2 2022-11-13 15:50:53

XIVN1987
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Re: CH32V307内置SPI FLASH来自普冉

现在好多单片机是QSPI Flash + SRAM结构啊,,GD32、AT32、CH32,,估计是这么做有价格优势。。

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#3 2022-11-13 16:13:05

iamseer
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Re: CH32V307内置SPI FLASH来自普冉

这spiflash这么牛逼的话,换到esp32开发版上能不能大幅提升烧录速度?

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#4 2022-11-13 19:49:54

海石生风
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Re: CH32V307内置SPI FLASH来自普冉

普冉的设计似乎是做了不同的取舍,它的整片擦除速率比别人快几个量级,但页编程却要比别人慢,比如它页编程时间是2~3ms,而W25Q16J的是0.6~2.4ms. 但差别不算太大。
如果烧录时不做整片擦除,它的烧录耗时会不会比别人少,还真不好说。

最近编辑记录 海石生风 (2022-11-13 19:52:31)

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#5 2022-11-14 08:39:43

伍零壹
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Re: CH32V307内置SPI FLASH来自普冉

这种芯片打磨 是不是需要特别的机器

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楼主 #6 2022-11-14 09:32:55

echo
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Re: CH32V307内置SPI FLASH来自普冉

@海石生风
普冉的这个FLASH烧录按页来编程,速度很快。像传统的STM32那样4字节编程速度就慢很多了。为此我专门重写了自己的固件升级算法。以下是一些朋友提供的消息,真假自辩,感觉没啥问题。

Puya用了一种新的工艺,和传统的NorFlash不同,cypress授权的,国内很多Flash小厂在用。
erase时间短,program时间长,page program的时间应该是2ms,小于一个page的,比如写
1个字节,时间也是2ms。

仔细看手册你会发现WCH的MCU内置FLASH都提供快速编程功能,就是页编程,和PY32的内置闪存一样,PY32甚至手册上只提到支持页编程。

最近编辑记录 echo (2022-11-14 09:34:23)

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#7 2022-11-14 10:54:53

Blueskull
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Re: CH32V307内置SPI FLASH来自普冉

伍零壹 说:

这种芯片打磨 是不是需要特别的机器

热的浓硫酸+硝酸钠就可以

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#8 2022-11-14 11:43:05

海石生风
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Re: CH32V307内置SPI FLASH来自普冉

@echo
我的意思是如果内置的SPI Flash换成别家的型号,如果不进行整片擦除的话,也不慢,甚至可能会更快。
比如按64kB块擦除烧录128kB的最小耗时:
普冉:2ms × 128kB/256B +  6ms × 128kB/64kB = 1.012s
华邦:0.6ms × 128kB/256B +  150ms × 128kB/64kB = 0.6s

普冉的设计取向要在烧录体积比较大时才会体现出优势。

最近编辑记录 海石生风 (2022-11-14 11:46:03)

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楼主 #9 2022-11-16 10:49:12

echo
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Re: CH32V307内置SPI FLASH来自普冉

补充一下,普冉的这个FLASH技术叫做SONOS,来自Cypress,和华邦兆易他们的不一样。下面是两篇介绍文章:
上海华力SONOS加持,eFlash的未来可期
Advantages of SONOS memory for embedded flash technology

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