楼主 # 2022-11-13 09:39:04 分享评论
- echo
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CH32V307内置SPI FLASH来自普冉
CH32V307是SRAM缓存架构，封装了RISC-V核心和SPI FLASH，SPI FLASH 来自普冉，图片来自推特John McMaster @johndmcmaster
FLASH Die的丝印PY1905V1，有普冉的标志。普冉的SPI FLASH价格很有优势，而且擦除速度极快，尤其是全片擦除，以16Mbits型号为例:
普冉的P25Q16H，典型值8ms最大20ms
华邦的W25Q16J，典型值5s，最大25s
兆易的GD25Q16C，典型值7s，最大20s
普冉的直接快了3个数量级，不知道他们怎么实现的。
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#1 2022-11-13 14:10:25 分享评论
- le062
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Re: CH32V307内置SPI FLASH来自普冉
普冉就是牛
它家的芯片功耗也低。
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#2 2022-11-13 15:50:53 分享评论
- XIVN1987
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Re: CH32V307内置SPI FLASH来自普冉
现在好多单片机是QSPI Flash + SRAM结构啊，，GD32、AT32、CH32，，估计是这么做有价格优势。。
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#3 2022-11-13 16:13:05 分享评论
- iamseer
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Re: CH32V307内置SPI FLASH来自普冉
这spiflash这么牛逼的话，换到esp32开发版上能不能大幅提升烧录速度？
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#5 2022-11-14 08:39:43 分享评论
- 伍零壹
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Re: CH32V307内置SPI FLASH来自普冉
这种芯片打磨 是不是需要特别的机器
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楼主 #6 2022-11-14 09:32:55 分享评论
- echo
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Re: CH32V307内置SPI FLASH来自普冉
@海石生风
普冉的这个FLASH烧录按页来编程，速度很快。像传统的STM32那样4字节编程速度就慢很多了。为此我专门重写了自己的固件升级算法。以下是一些朋友提供的消息，真假自辩，感觉没啥问题。
Puya用了一种新的工艺，和传统的NorFlash不同，cypress授权的，国内很多Flash小厂在用。
erase时间短，program时间长，page program的时间应该是2ms，小于一个page的，比如写
1个字节，时间也是2ms。
仔细看手册你会发现WCH的MCU内置FLASH都提供快速编程功能，就是页编程，和PY32的内置闪存一样，PY32甚至手册上只提到支持页编程。
最近编辑记录 echo (2022-11-14 09:34:23)
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#7 2022-11-14 10:54:53 分享评论
- Blueskull
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Re: CH32V307内置SPI FLASH来自普冉
这种芯片打磨 是不是需要特别的机器
热的浓硫酸+硝酸钠就可以
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#8 2022-11-14 11:43:05 分享评论
Re: CH32V307内置SPI FLASH来自普冉
@echo
我的意思是如果内置的SPI Flash换成别家的型号，如果不进行整片擦除的话，也不慢，甚至可能会更快。
比如按64kB块擦除烧录128kB的最小耗时：
普冉：2ms × 128kB/256B + 6ms × 128kB/64kB = 1.012s
华邦：0.6ms × 128kB/256B + 150ms × 128kB/64kB = 0.6s
普冉的设计取向要在烧录体积比较大时才会体现出优势。
最近编辑记录 海石生风 (2022-11-14 11:46:03)
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楼主 #9 2022-11-16 10:49:12 分享评论
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Re: CH32V307内置SPI FLASH来自普冉
补充一下，普冉的这个FLASH技术叫做SONOS，来自Cypress，和华邦兆易他们的不一样。下面是两篇介绍文章：
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#10 2024-06-01 03:29:18 分享评论
- david
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Re: CH32V307内置SPI FLASH来自普冉
这样开盖之后不是程序可以随便读
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#11 昨天 11:37:01 分享评论
- LSC
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Re: CH32V307内置SPI FLASH来自普冉
SONOS擦除比较快，但Byte program比较慢。现在有NORD工艺，可以兼顾擦除快和Byte program快两个优点，就是不知道寿命如何。
如果寿命也没有降低太多，对于消费电子，NORD就太完美了。
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