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echo

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CH32V307内置SPI FLASH来自普冉

CH32V307是SRAM缓存架构，封装了RISC-V核心和SPI FLASH，SPI FLASH 来自普冉，图片来自推特John McMaster @johndmcmaster



FLASH Die的丝印PY1905V1，有普冉的标志。普冉的SPI FLASH价格很有优势，而且擦除速度极快，尤其是全片擦除，以16Mbits型号为例:

• 普冉的P25Q16H，典型值8ms最大20ms

• 华邦的W25Q16J，典型值5s，最大25s

• 兆易的GD25Q16C，典型值7s，最大20s

普冉的直接快了3个数量级，不知道他们怎么实现的。

echo

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Re: CH32V307内置SPI FLASH来自普冉

@海石生风
普冉的这个FLASH烧录按页来编程，速度很快。像传统的STM32那样4字节编程速度就慢很多了。为此我专门重写了自己的固件升级算法。以下是一些朋友提供的消息，真假自辩，感觉没啥问题。

Puya用了一种新的工艺，和传统的NorFlash不同，cypress授权的，国内很多Flash小厂在用。
erase时间短，program时间长，page program的时间应该是2ms，小于一个page的，比如写
1个字节，时间也是2ms。

仔细看手册你会发现WCH的MCU内置FLASH都提供快速编程功能，就是页编程，和PY32的内置闪存一样，PY32甚至手册上只提到支持页编程。

最近编辑记录 echo (2022-11-14 09:34:23)

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Re: CH32V307内置SPI FLASH来自普冉

补充一下，普冉的这个FLASH技术叫做SONOS，来自Cypress，和华邦兆易他们的不一样。下面是两篇介绍文章：
上海华力SONOS加持，eFlash的未来可期
Advantages of SONOS memory for embedded flash technology