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直接上继电器或者固态继电器

PMOS要控制24V+输出，单片机IO没法直接控G吧，这样VGS怎么也有20V左右压差，肯定导通的。

感谢。

我刚才理解错了，Vgs和Vgs(th)不是一回事来着...

再请教，这个C3在这里起什么作用呢？让Q4开启和关断更慢一点？

可以试试ISP452

个人认为差不多，三极管也是需要基极维持一定的电压才能形成电流。

这电路我也常用 不过没有c3和r6 这种开关管一般cg不小 有要求开关速度的场合可以调r2和r8

另外r4我通常用10k以上的 基本周围有啥电阻就用啥 减少规格型号

上传不了图，1%卡住了，光耦+NPN三极管也可以实现高边输出，光耦控制导通三极管的集电极和基极（三极管基极和发射极预留下拉电阻，避免光耦漏电流问题），三极管就变成二极管了，集电极接24V电源，就可以输出24V信号

感谢分享。

这么大，上mos

感谢，搜了下手册，500mA的达林顿管阵列，这和ULN2803类似啊。

这个电路有问题，这个GS上并一个这么大的电容，这个PMOS大负载的时候分分钟烧掉

差了下AO3401是30V耐压，感觉裕量不是很够。而且，想实现的是控正，这个是nmos，更适合控负吧。

用三极管+pmos，多通道的mos体积还好，比如sop8 2通道的4953，如果只是少数通道，并且主要带载（不是继电器之类信号，1-2A级别），可以试试国产的efuse、负载开关，MX25947，（目前情况TI的也不贵，可能略贵一点，差不多，也可以考虑），通道稍多也可以一个前级efuse+多个pmos

GS并联电容是为了减小驱动容性负载导通时的瞬时电流，使其不超过MOS管的最大漏极电流，起到保护作用。实在想不出哪里会烧掉。

假设这个说法成立的话，那么如果VGS一直等于或稍大于VGS(th)，是不是也会损坏MOS？

最近编辑记录 海石生风 (2024-07-28 15:27:19)

负载能够在极小电压下产生达到MOS饱和的电流，Vds足够强，沿着最底下的线冲进击穿区域

最大漏极一般不会超的，最大脉冲电流，不是额定电流，那个值很大的（载流子之类决定的，相当于通道物理性质，我不太清楚），3401 sot-23这种，大概能有30A，相对于常说的额定电流，一般是热稳定性决定的，前面讨论的，一般sot-23那种小mos，延长时间后触发问题，存在可能性的（soa图中，1ms，10V，安全区电流1-2A），稍大点的mos，一般在这种信号或继电器输出电路，出问题可能性比较小，没仔细估算参数建议用稍大点的MOS，上面#5那个图写着40V 10A应该不是sot-23那种小mos，一般驱动继电器或小负载，损坏可能性不大