您尚未登录。
页次: 1
@ArtInChip 啥时候,什么样的
阻容0402的吗
按满载电流、电压一半,开关时间,代入查下soa图,是不是可以简单评估,有大佬验证过吗
最大漏极一般不会超的,最大脉冲电流,不是额定电流,那个值很大的(载流子之类决定的,相当于通道物理性质,我不太清楚),3401 sot-23这种,大概能有30A,相对于常说的额定电流,一般是热稳定性决定的,前面讨论的,一般sot-23那种小mos,延长时间后触发问题,存在可能性的(soa图中,1ms,10V,安全区电流1-2A),稍大点的mos,一般在这种信号或继电器输出电路,出问题可能性比较小,没仔细估算参数建议用稍大点的MOS,上面#5那个图写着40V 10A应该不是sot-23那种小mos,一般驱动继电器或小负载,损坏可能性不大
负载能够在极小电压下产生达到MOS饱和的电流,Vds足够强,沿着最底下的线冲进击穿区域
假设这个说法成立的话,那么如果VGS一直等于或稍大于VGS(th),是不是也会损坏MOS?
一般是要电流足够大才会出问题,在这个Vgsth附近能产生的电流有限,Vgs = Vgsth,Vds开始下降,一直处于这个状态,输出端没有多少电压,在这个情况下一般负载产生不了很大电流,除非输出理想0电阻,这样的话,和LDO差不多,功率超过MOS的极限就热损坏
#22说的问题,需要大负载电流,才会在开通或关断产生足够的能量,导致MOS损坏,一般带个小继电器之类的不会出问题的
@海石生风 开关时间变长,电压电流重叠区域变大,开通损耗变大,大到超过EAS,MOS会损坏,还有,有时候只考虑开通那一段忘了考虑关断那一段,那个是靠电阻上拉,如果阻值比较大,电容大了关断会很慢
用三极管+pmos,多通道的mos体积还好,比如sop8 2通道的4953,如果只是少数通道,并且主要带载(不是继电器之类信号,1-2A级别),可以试试国产的efuse、负载开关,MX25947,(目前情况TI的也不贵,可能略贵一点,差不多,也可以考虑),通道稍多也可以一个前级efuse+多个pmos
xuqm 说:如果有多个通道,有的大电流,有的小电流,可以看看TBD62783(8通道,价格2.5),一个通道500mA,大电流就2-3个通道并联,小电流就单通道感谢,搜了下手册,500mA的达林顿管阵列,这和ULN2803类似啊。
如果有多个通道,有的大电流,有的小电流,可以看看TBD62783(8通道,价格2.5),一个通道500mA,大电流就2-3个通道并联,小电流就单通道
感谢,搜了下手册,500mA的达林顿管阵列,这和ULN2803类似啊。
62783是高边输出,是mos输出的,输出能力强一点
bunny 说:L298N不香吗?太大了,15脚!也贵。目前需要能最大输出2A甚至1A即可。
L298N不香吗?
太大了,15脚!也贵。目前需要能最大输出2A甚至1A即可。
这么大,上mos
上传不了图,1%卡住了,光耦+NPN三极管也可以实现高边输出,光耦控制导通三极管的集电极和基极(三极管基极和发射极预留下拉电阻,避免光耦漏电流问题),三极管就变成二极管了,集电极接24V电源,就可以输出24V信号
你判断不准就加个0r兼容的电阻,不用就焊0R,用就焊成几十欧的电阻。一般硬件指导手册人家会给你说的,你再牛也牛不过人家产芯片的啊。
如果是两个不同厂家的芯片问题,可能会相互推卸
信号反射不算很致命,一般可以把io的速度(或驱动能力)设置低一点能缓解问题,电压不一致、不同芯片上电时候一些不可控因素,这个风险比较大
m4和d21x一样的吗
D21x系列有openwrt的案例吗
楼主问题是从机回传数据延迟大,加大单节点超时等待时间,整个轮询周期过长?能否加多主机端口,一个端口轮询一部分?
@mapleft 大佬,请教个问题,nuc980能支持sd nand吗,使用sd nand的话能用NuWriter烧写吗?需要在贴片前烧写sd nand吗?
同意楼上说法,公开一些SDK 、参考手册、 各种应用手册和提供技术支持不是一回事吧,像新唐虽然没技术支持,也能找到资料
请教一下,这种屏幕排线怎么焊接的?会把座焊坏吗?
可以用什么ide,RT-Thread Studio?
M680X系列工业级DSP微处理器,资料有公开吗